Hai nhà khoa học - Milton Feng và Walid Hafez - tại trường Đại học Illinois, Urbana Chapaign, Mỹ, đã phát triển được tranzito đạt kỷ lục về tốc độ, mở ra khả năng phát triển một thế hệ mới các chip bán dẫn có khả năng hoạt động siêu nhanh.

Bằng cách trộn một cách cẩn thận và tỉ mỉ các nguyên liệu bán dẫn trong các chân điện cực riêng biệt của một thiết bị cực nhỏ. Feng và Hafez phát triển một tranzito có độ dài nhỏ hơn một nửa phần triệu của mét, với tốc độ cực đại là 604 GHz, tương đương với khả năng thực hiện 604 tỉ phép tính trong một giây. Đây là một đỉnh cao mới trong việc nâng cao hiệu suất của linh kiện bán dẫn. Thiết bị này còn khả năng nhanh hơn gấp 3 lần các linh kiện bán dẫn nhanh nhất làm bằng silic.

Feng và Hafez đã phát triển một loại thiết bị đặc biệt là một linh kiện bán dẫn lưỡng cực gồm 3 điện cực xếp chồng lên nhau. Dòng điện được điều khiển trong khi đi qua 3 điện cực gồm điện cực gốc, cực phát và cực góp. Thay đổi dòng chạy qua cực gốc thì có thể điều khiển được dòng chạy qua cực phát và cực góp. Thiết bị loại này có thể khuếch đại dòng tại cực góp hoặc được sử dụng với mục đích bật hoặc ngắt dòng điện chạy qua linh kiện bán dẫn. Để tạo ra 3 lớp của linh kiện bán dẫn các nhà nghiên cứu đã cẩn thận trộn lẫn 2 loại hợp chất bán dẫn kết tinh là indi photphua và indi gali arsenic. Điểm mấu chốt trong sáng chế này là họ điều chỉnh các hỗn hợp trong cực góp nhằm thay đổi cấu trúc tinh thể của các hợp chất khiến cho các electron có thể chuyển qua một cách dễ dàng hơn. Đây là bước quyết định làm cho linh kiện bán dẫn này hoạt động có hiệu quả cao.

Tuy nhiên, Hafez cũng thừa nhận rằng cần một thời gian nữa trước khi sáng chế này được đưa vào sử dụng trong các thiết bị điện tử phức tạp. Kevin Krwell, Tổng Biên tập của tờ Tạp chí Công nghiệp Microprocessor Report tin tưởng rằng các thiết bị này có thể phù hợp với các thiết bị thu sóng radio.